Fachgruppe Nanostrukturierte Materialien    


Publikationen
 
Home

Lehre
 Vorlesungen & Semin.
 Angebote f. Studenten

Forschung
 Themen
 Projekte
 Publikationen

Labore/Techniken
Anschrift
 Ausstattung
Röntgenbeugung

Mitarbeiter
 Übersicht
 offene Stellen

Links
 Universität Halle
 Institut für Physik
 IZM
 Andere Links

Institut f. Physik
FG Nanostrukturierte Materialien
Martin-Luther-Universitat
Halle-Wittenberg
Von-Danckelmann-Platz 3,
D-06120 Halle, Germany

Tel.:  +49 345 55 25321
Fax.: +49 345 55 27034

[Veröffentlichungen] [Patente] [Graduierungsarbeiten] [Berichte] [Poster]
Abstract

G. Schmidt, C. Gould, P. Grabs, A. M. Lunde, G. Richter, A. Slobodskyy, L.W. Molenkamp
Spin Injection in the Nonlinear Regime: Band Bending Effects
Phys. Rev. Lett 92 (22) (2015-02-24 16:11:00), 226602/1-226602/4

We report on electrical spin-injection measurements into a nonmagnetic semiconductor in the nonlinear regime. For voltage drops across the interface larger than a few mV the spin-injection efficiency decreases strongly. The effect is caused by repopulation of the minority spin level in the magnetic semiconductor due to band bending at the interface.

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.92.226602
Impressum Copyright ©  Center of Materials Science, Halle, Germany. All rights reserved.